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STP55NE06L中文资料

  • 大小:57.08KB
  • 厂家:STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:60 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 15 V
  • 漏极连续电流:55 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.022 Ohms
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220
  • 封装:Tube
  • 下降时间:40 ns
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值):30 S
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 功率耗散:130 W
  • 上升时间:100 ns
  • 工厂包装数量:50

STP55NE06L供应商

更新时间:2023-01-07 10:19:52
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